一、絕緣擊穿機理的物理本質

1. 氣體介質擊穿

氣體擊穿主要基于電子崩和流注理論。初始階段，在強電場作用下，少數(shù)自由電子被加速并獲得足夠動能，通過與氣體分子碰撞使其電離（湯森放電理論），產生新的電子-離子對，形成電子崩。當電場強度足夠高（例如空氣中間隙電場≥30 kV/cm），電子崩迅速發(fā)展，其頭部的空間電荷產生的附加電場使崩頭尾部的場強極大增強，引發(fā)強烈的光電離，從而將一個個獨立的電子崩連接起來，形成高電導率的等離子體通道，即“流注"。流注迅速貫通電極間隙，導致氣體全喪失絕緣能力，如自然界中的雷電現(xiàn)象便是典型的氣體擊穿。

2. 液體介質擊穿

以變壓器油為代表的液體絕緣介質的擊穿，通常與雜質和氣泡密切相關。“氣泡理論"認為，液體中的雜質（如水、纖維）或局部電暈發(fā)熱會產生氣泡。由于氣體的介電常數(shù)低且耐壓強度遠低于液體，氣泡內的電場強度更高，首先發(fā)生電離。氣泡電離產生的高溫和活性氣體（如臭氧）進一步分解、碳化液體，形成更多氣泡和導電顆粒，最終導致貫穿性導電通道的形成。“電泳效應"則指出，在電場作用下，液體中的懸浮雜質顆粒會向高場強區(qū)遷移并積聚，可能形成橋接電極的導電小橋，引發(fā)擊穿。

3. 固體介質擊穿

固體介質的擊穿機理更為復雜，主要有三種形式：本征擊穿指在強電場（通常對應10? V/m量級）直接作用下，介質晶格或分子結構中的大量電子被直接激發(fā)到導帶，導致電導率雪崩式增長，這一過程發(fā)生在極短的時間尺度（約10??秒）內，與熱效應無關。熱擊穿是由于介質在交變電場下的介質損耗或漏導電流產生的焦耳熱，若散熱不良，將使介質溫度持續(xù)升高，而溫度升高又導致電導率和損耗進一步增大，形成正反饋，最終因局部過熱而熔化、碳化，形成永性導電通道，例如電纜長期過載導致的絕緣燒毀。電化學擊穿則是長期工作電壓下，在電場、水分、雜質等聯(lián)合作用下發(fā)生的緩慢老化過程，如離子遷移、電樹枝和水樹枝的生長，逐步侵蝕絕緣，最終引發(fā)擊穿。

4. 復合介質擊穿

由多種材料構成的復合絕緣結構（如氣體絕緣金屬封閉開關設備GIS中的環(huán)氧樹脂襯套與SF?氣體界面），其薄弱點常在界面處。由于不同材料介電常數(shù)和電導率的差異，電場在交界處會發(fā)生畸變并產生電荷積聚（界面效應）。這些界面電荷強化了局部電場，易引發(fā)沿面放電或界面擊穿，其擊穿電壓通常低于各單一介質。

二、擊穿后的電壓變化規(guī)律

1. 擊穿瞬間的電壓驟降與能量釋放

擊穿形成的瞬間，絕緣介質內部或沿面建立起高電導率的導電通道（如電弧、碳化通道），電極間的阻抗急劇下降。對于由電壓源供電的系統(tǒng)，負載端的電壓將發(fā)生驟降，迅速從初始擊穿電壓值跌落至電弧或短路通道的維持電壓，該電壓通常僅為原擊穿峰值的10%-30%，僅用于維持導電通道的存在。對于儲能設備（如高壓電容器、電纜），擊穿意味著其儲存的電場能量通過新形成的低阻通道在極短時間內劇烈釋放，導致設備兩端的電壓在微秒級甚至更短時間內崩潰至接近于零，并伴隨巨大的短路電流和可能的熱爆炸。

2. 不同電源條件下的穩(wěn)態(tài)與暫態(tài)差異

在直流電壓下?lián)舸坏╇娀⌒纬桑妷簩⒎€(wěn)定在較低的電弧維持電壓水平，直至保護動作切斷電源。在工頻交流電壓下，情況更為復雜：擊穿通常發(fā)生在電壓峰值附近，擊穿后電壓隨即崩潰；但由于交流電流每半周會過零點，電弧可能暫時熄滅。若介質絕緣性能未能恢復，在電壓恢復上升時電弧將重燃，導致電壓周期性（每半周一次或多次）的崩潰與恢復，形成持續(xù)的電弧接地故障，直至斷路器跳閘。

3. 工程實踐中的典型表現(xiàn)

在實際工程中，擊穿后的電壓形態(tài)直觀反映了系統(tǒng)的狀態(tài)突變。例如，一個1厘米標準空氣間隙在30 kV（峰值）擊穿后，間隙電壓會立即跌落至數(shù)百伏的電弧電壓。而對于一個額定電壓50V的陶瓷電容器，其介質擊穿意味著內部形成永jiu性短路，兩端子間的電壓在擊穿后長期接近于零，設備完quan失效。這些變化規(guī)律是繼電保護裝置（如過流保護、差動保護）設計和故障診斷的重要依據(jù)。